中硅高科两项半导体材料科技成果获评国际领先

作者：发布时间：2026年05月21日浏览次数：

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　　近日，中硅高科牵头完成的两项半导体材料技术通过院士专家组评审，整体达到国际领先水平。

　　其中，“宽禁带半导体用超高纯碳化硅材料制备关键技术”首创气相法工艺，建成国内首条年产300吨生产线，整体达到国际领先水平。“集成电路用电子级六氯乙硅烷制备关键技术”整体达到国际先进水平，颗粒度控制达到国际领先水平。这标志着我国第三代半导体及高纯电子特气领域国产化实现重大突破。

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